技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI1026X-T1-GE3 |
批号: | 21+ |
封装: | N/A |
数量: | 9000 |
QQ: | |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SC-89-6 |
通道数量: | 2 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 500 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 600 pC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 280 mW |
配置: | Dual |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | TrenchFET |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | SI1 |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
宽度: | mm |
商标: | Vishay Semiconductors |
正向跨导 - 最小值: | 200 mS |
产品类型: | MOSFET |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 20 ns |
典型接通延迟时间: | 15 ns |
零件号别名: | SI1026X-GE3 |
单位重量: | 32 mg |
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