技术参数
品牌: | ROHM |
型号: | 2SB1188T100R |
封装: | MOS |
批次: | 20+ |
数量: | 1000 |
制造商: | ROHM Semiconductor |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
晶体管极性: | PNP |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | - 32 V |
集电极—基极电压 VCBO: | - 40 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | - 5 V |
直流电集电极电流: | 2 A |
Pd-功率耗散: | 500 mW |
增益带宽产品fT: | 100 MHz |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
直流电流增益 hFE 值: | 390 |
高度: | mm |
长度: | mm |
宽度: | mm |
集电极连续电流: | - 2 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 82 |
单位重量: | mg |
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