产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI2323DS-T1-GE3批号:18+封装:SOT-23-3数量:36990QQ:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:4
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI2323DS-T1-GE3 |
批号: | 18+ |
封装: | SOT-23-3 |
数量: | 36990 |
QQ: | |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | 39 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 400 mV |
Qg-栅极电荷: | 19 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | SI2 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | mm |
正向跨导 - 最小值: | 16 S |
下降时间: | 48 ns |
上升时间: | 43 ns |
典型关闭延迟时间: | 71 ns |
典型接通延迟时间: | 25 ns |
零件号别名: | SI2323DS-GE3 |
单位重量: | 8 mg |
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