产品简介
技术参数品牌:ST型号:STD11NM50N批号:12+封装:TO-252-3数量:36378QQ:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:500VId-连续漏极电流:8
详情介绍
技术参数
品牌: | ST |
型号: | STD11NM50N |
批号: | 12+ |
封装: | TO-252-3 |
数量: | 36378 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 500 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | 470 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
Qg-栅极电荷: | 19 nC |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 70 W |
配置: | Single |
系列: | STD11NM50N |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
下降时间: | 10 ns |
上升时间: | 10 ns |
典型关闭延迟时间: | 33 ns |
典型接通延迟时间: | 8 ns |
单位重量: | 4 g |
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