技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI7149ADP-T1-GE3 |
批号: | 19+ |
封装: | PowerPAK-SO-8 |
数量: | 36504 |
QQ: | |
描述: | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 14 周 |
详细描述: | 表面贴装型-P-通道-30V-50A(Tc)-5W(Ta)-48W(Tc)-PowerPAK®-SO-8 |
数据列表: | SI7149ADP; |
标准包装: | 1 |
包装: | 剪切带(CT) |
零件状态: | 有源 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | TrenchFET® |
其它名称: | SI7149ADP-T1-GE3CT |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): | 50A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | ,10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): | 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): | @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值): | 135nC @ 10V |
Vgs(值): | ±25V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值): | 5125pF @ 15V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 5W(Ta),48W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerPAK® SO-8 |
封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 |
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