对InP晶片进行了集群磁流变抛光实验,研究了抛光过程中磨料参数（类型、质量分数和粒径）对InP材料去除速率和表面粗糙度的影响。实验结果表明,InP晶片的去除速率随磨料硬度的增加而变大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的综合影响;在选取的金刚石、SiC、Al2O3和SiO2等4种磨料中,使用金刚石磨料的InP去除速率,使用SiC磨料的InP抛光后的表面质量。随着SiC质量分数的增加,InP去除速率逐渐增加,但表面粗糙度先减小后增大。当使用质量分数4%、粒径3μm的SiC磨料对InP晶片进行抛光时,InP去除速率达到μm/h,表面粗糙度从原始的33 nm降低到 nm。

随着光学、光电子学及数码产品的蓬勃发展，K9玻璃已在诸多领域得到了广泛的应用。由于K9玻璃属于硬脆材料，在加工过程中极易发生脆性破坏，传统加工技术难以获得超光滑高质量的表面。近年来，固结磨料化学机械抛光技术以其工艺可控性强、加工效率高、加工成本低以及绿色环保等一系列优点受到越来越多的关注。本文采用显微硬度方法分析了化学机械研抛中研抛液对K9玻璃表层硬度的影响，采用失重法对固结磨料研抛K9玻璃的材料去除过程中的机械与化学作用进行了分离，利用正交实验的方法研究分析了各加工参数对K9玻璃研磨和抛光的材料去除率及三维轮廓表面粗糙度影响，优化K9玻璃的研磨抛光工艺。本文所完成的主要工作和研究成果如下：（1）研究了研抛液对K9玻璃的化学作用采用去离子水和研抛液分别浸泡K9玻璃，测量并比较浸泡后K9的维氏硬度和压痕对角线长度，根据所测数值进一步计算出K9玻璃表面生成的变质层厚度，验证了研抛液对K9玻璃的化学作用和变质层厚度随浸泡时间的变化规律。研究表明：研抛液对K9玻璃有比较剧烈的化学作用，可以在K9玻璃表面形成变质层，随着浸泡时间的延长变质层的厚度逐渐增加但增加趋势逐渐减缓

珍珠岩抛光磨料简介：珍珠岩是一种玻璃质酸性喷出岩，SiO2含量高，超过65％，一般为65％一78％。碱质（K2O十Na2O）含量较高，约为7％一8％。珍珠岩中含水量一般为2％一6％，水是在岩浆快速冷凝时，其中的水蒸气来不及逸出而包裹在其中的。珍珠岩呈无色、淡灰、兰绿等颜色，玻璃光泽，一般发育有同心圆状的珍珠裂理。珍珠裂理是珍珠岩冷凝收缩时形成的，是珍珠岩发育的特征。【中信抛光磨料】产品流程：珍珠岩抛光磨料：珍珠岩经过粉碎、筛分等工艺流程，即可成为抛光磨料。产品分类：目前国内珍珠岩抛光磨料一般有70目、90目、120目三种。产品特征：该产品色泽呈灰白色至白色，莫氏硬度，粒径分布μm～80μm，其中产品型号以中心粒径划分，如120目产品，其17＋或－1μm粒径不少于50％。

为了提高微晶玻璃化学机械抛光(CMP)的材料去除速率(MRR),降低其表面粗糙度,利用自制的抛光液对微晶玻璃进行化学机械抛光,研究了4种含不同磨料(Si O2、Al2O3、Fe2O3、Ce O2)的抛光液对微晶玻璃化学机械抛光MRR和表面粗糙度的影响.利用纳米粒度仪检测抛光液中磨料的粒径分布和Zeta电位,利用原子力显微镜观察微晶玻璃抛光前后的表面形貌.实验结果表明,在相同条件下,采用Ce O2作为磨料进行化学机械抛光时可以获得的表面质量,抛光后材料的表面粗糙度Ra= nm,MRR=10 nm/min.进一步研究了抛光液中不同质量分数的Ce O2磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响,结果表明,当抛光液中Ce O2质量分数为7%时,MRR达到185 nm/min,表面粗糙度Ra= nm;而当抛光液中Ce O2质量分数为5%时,MRR=10 nm/min,表面粗糙度Ra= O2磨料抛光后的微晶玻璃能获得较低表面粗糙度和较高MRR.