产品简介
技术参数品牌：VISHAY/威世型号：SIZ710DT-T1-GE3批号：2105+封装：6-PowerPair数量：21600QQ：制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：PowerPAIR-6x3
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型号： | SIZ710DT-T1-GE3 |
| 批号： | 2105+ |
| 封装： | 6-PowerPair |
| 数量： | 21600 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 16 A, 35 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | mOhms, mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 18 nC, 60 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 27 W, 48 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | TrenchFET |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 系列： | SIZ |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 商标： | Vishay Semiconductors |
| 正向跨导 - 最小值： | 45 S, 85 S |
| 下降时间： | 12 ns, 12 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 15 ns, 15 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 20 ns, 30 ns |
| 典型接通延迟时间： | 15 ns, 25 ns |
| 零件号别名： | SIZ710DT-GE3 |
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