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当前位置:深圳市胜彬电子有限公司>>集成电路>>嵌入式/PLD(可编程逻辑器件)>> SIZ710DT-T1-GE3VISHAY/威世 场效应管 SIZ710DT-T1-GE3 MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

VISHAY/威世 场效应管 SIZ710DT-T1-GE3 MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:SIZ710DT-T1-GE3
  • 品牌:
  • 产品类别:嵌入式/PLD(可编程逻辑器件)
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-01-26 16:28:07
  • 浏览次数:4
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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:1133条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2023-01-25
  • 最近登录:2023-01-25
  • 联系人:陈先生
产品简介

技术参数品牌:VISHAY/威世型号:SIZ710DT-T1-GE3批号:2105+封装:6-PowerPair数量:21600QQ:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PowerPAIR-6x3

详情介绍


技术参数

品牌:VISHAY/威世
型号:SIZ710DT-T1-GE3
批号:2105+
封装:6-PowerPair
数量:21600
QQ:
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:16 A, 35 A
Rds On-漏源导通电阻: mOhms, mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:18 nC, 60 nC
最小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:27 W, 48 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:SIZ
晶体管类型:2 N-Channel
商标:Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值:45 S, 85 S
下降时间:12 ns, 12 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:15 ns, 15 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:20 ns, 30 ns
典型接通延迟时间:15 ns, 25 ns
零件号别名:SIZ710DT-GE3
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