产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SIR870ADP-T1-GE3封装:N/A批次:19+数量:131制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:60ARdsOn-漏源导通电阻:5
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SIR870ADP-T1-GE3 |
封装: | N/A |
批次: | 19+ |
数量: | 131 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerPAK-SO-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 60 A |
Rds On-漏源导通电阻: | mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | V |
Qg-栅极电荷: | 80 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 104 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | TrenchFET, PowerPAK |
配置: | Single |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | SIR |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | mm |
商标: | Vishay Semiconductors |
正向跨导 - 最小值: | 68 S |
下降时间: | 9 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 14 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 35 ns |
典型接通延迟时间: | 13 ns |
零件号别名: | SIR870ADP-GE3 |
单位重量: | mg |
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