产品简介
技术参数品牌:ON型号:FQPF6N80C封装:TO2203批次:22+数量:3300描述:MOSFETN-CH800V5
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | FQPF6N80C |
封装: | TO2203 |
批次: | 22+ |
数量: | 3300 |
描述: | MOSFET N-CH 800V TO220F |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 10 周 |
详细描述: | 通孔-N-通道-800V-(Tc)-51W(Tc)-TO-220F |
数据列表: | FQP(F)6N80C; |
标准包装: | 1,000 |
包装: | 管件 |
零件状态: | 有源 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | QFET® |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 800V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | (Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 欧姆 @ ,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 30nC @ 10V |
Vgs(值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 1310pF @ 25V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 51W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220F |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
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