规格书：AON7424

规格 AON7424

FET类型N沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（VDSS）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C时）18A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs时的Rds On（值）5.2毫欧@ 20A，10V

不同Id时的Vgs（th）（值）2.3V @250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（值）60nC @ 10V

的Vgs（值）±20V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）3450pF @ 15V

FET功能 -

功率耗散（值）3.1W（Ta）的，36W（TC）

工作温度-55°C~150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-DFN（3×3）

封装/外壳8 PowerSMD，扁平引线

一般说明 AON7424

AON7424结合了*的沟槽MOSFET

技术采用低阻抗封装提供

极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关

和电池保护应用。

产品摘要 AON7424

VDS 30V

ID（VGS = 10V）40A

RDS（ON）（VGS = 10V）<5.2mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<7.5mΩ

ESD保护

100％UIS经过测试

100％Rg测试

AON7424

A.使用安装在1in2上的设备测量RθJA的值

FR-4板，2盎司。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。该

功耗PDSM基于RθJAT≤10s值，允许结温为150°C。任何给定的价值

应用取决于用户的特定电路板设计，如果PCB允许，可以使用150°C的温度。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，采用结壳热阻，在设置上部时更有用

使用额外散热的情况下的耗散极限。

C.重复额定值，脉冲宽度受结温TJ（MAX）= 150°C的限制。额定值基于低频率和占空比来保持

初始TJ = 25℃。

D.RθJA是结点与情况RθJC和情况与环境之间的热阻抗之和。

E.使用<300μs脉冲，占空比0.5％获得图1至图6中的静态特性。

F.这些曲线基于结到壳体的热阻抗，该阻抗是通过安装在大型散热器上的装置测量的，

假设结温TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲线提供单脉冲ratin g。

G.额定电流是封装限制的。

H.这些测试是在1英寸2安装的设备上进行的

FR-4板，2盎司。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。

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