规格书：AOD4126

类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A（Ta），43A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） 7V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 24 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 34nC @ 10V
Vgs（值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2200pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（值） 3W（Ta），100W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）

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