AZ®nLOF 2000系列电子束光刻胶，通过可调节的方式显影后使暴露的光刻胶保留下来。负轮廓及其高软化点使AZ®nLOF 2000成为适用于剥离工艺以及其他任何需要具有高的热稳定性光刻胶结构的工艺。

特征：
1) 的热稳定性：250°C以上温度不易变形；
2) 高度的化学稳定性
3) 电子束灵敏度可将快紫外和高分辨率电子束光刻技术结合起来。
4) 分辨率0.5um lift off 负性光刻胶，耐特高温；可用于RIE工艺


显影液
AZ ® EBR溶剂是用于稀释和边缘珠去除AZ的溶剂（PGMEA）去胶剂不含NMP,与所有常见的基材兼容，甚至可以溶解交联的AZ®nLOF 2070光刻胶膜 ；

去胶剂
通常，在非常厚或强烈交联的光刻胶膜的情况下，可能需要将这些去除剂加热至60-80°C，或进行超声波处理，以加快去胶速度。

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