AZ5214E高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶，特别为lift-off工艺优化。AZ5214E匀胶厚度1.5μm~3μm，AZ5200E系列匀胶厚度为：0.5μm~6μm。
AZ5214E特征：
1) 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺)；
2) 适用于正/负图形；
3) 很宽的膜厚范围。
AZ 5200E系列光刻胶参考工艺条件：
前烘 ：100℃ 60秒 (DHP)；
曝光 ：I线步进式曝光机/接触式曝光机；
反转烘烤 ：110~125℃ 90秒 (DHP):去离子水30秒；
全面曝光 ：310~405nm
(在曝光光源下全面照射)；
显影 ：AZ300MIF (2.38%) 23℃ 30~60秒Puddle；
：AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping；
：AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping；
清洗 ：去离子水30秒；
后烘 ：120℃ 120秒 (DHP)；
剥离 ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化；
产品型号：
型号 | AZ5206E | AZ5214E | AZ5218E | AZ5200NJ |
粘性 | 7mPa | 25mPa | 40mPa | 85mPa |
AZP4620超厚膜，高对比度，高感光度G线标准正型光刻胶，适用于半导体制造及GMR磁头制造。
特征：
1) 高对比度，高感光度
2) 高附着性，对电镀工艺高耐受性
3) 多种粘度可供选择
参考工艺条件：
前烘 ：100℃ 90秒以上 (DHP)
曝光 ：G线步进式曝光机/接触式曝光系统
显影 ：AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒
清洗 ：去离子水
后烘 ：120℃ 60秒以上
剥离 ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化
产品型号：
型号 | AZ P4210 | AZ P4330 | AZ P4400 | AZ P4620 | AZ P4903 |
粘性 | 49mPa | 115mPa | 160mPa | 400mPa | 1550mPa |
AZ®4500系列 AZ4562
具有粘附力的厚光刻胶
特点：
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）是正性厚光刻胶，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能：
l 优化对所有常见基材的附着力
l 宽广的工艺参数窗口，可实现稳定且可重复的光刻工艺
l 与所有常见的显影液兼容（基于KOH或TMAH）
l 与所有常见的去胶剂兼容（例如AZ100去胶剂、有机溶剂或碱性溶剂）
l 对g，h和i线敏感（约320-440 nm）
l 光刻胶厚度范围约 3-30微米
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）的溶剂浓度不同，因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范围：
光刻胶型号 | 光刻胶膜厚范围 | 包装规格 |
AZ ® 4533 | 转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达2.5-5 µm。 | 多规格包装，如1L、2.5L等 |
AZ ® 4562 | 转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达4.5-10 µm；调整旋转轮廓（中等旋涂速度下短时间旋涂），可达30 µm膜厚。 | 多规格包装，如1L、2.5L等 |
若光刻胶膜厚度 30 µm？
通常，AZ®4562可以用来涂覆厚度达30微米及以上。然而，在该厚度范围内，软烘烤、曝光、显影等变得非常耗时。此外，如果涂得太厚，AZ®4562也可能在曝光期间形成N2气泡。 因此，对于厚度大于30 µm的光刻胶膜厚度，强烈建议使用化学放大的AZ®40 XT光刻胶。
显影液——适用于AZ ® 4500光刻胶
如果可以使用含金属离子的显影液，可使用1：4稀释的KOH基AZ®400K作为显影液（对于更高的光刻胶膜厚度，可用1：3.5 - 1：1的稀释浓度）。
如果必须使用不含金属离子的显影液，我们建议使用基于TMAH基的AZ®326 MIF，AZ®726 MIF或AZ®826 MIF显影剂（未稀释）。
去胶剂——适用于AZ ® 4500光刻胶
对于非交联的光刻胶薄膜，可以使用AZ®100作为去胶剂，DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果光刻胶膜已交联（例如，在干法蚀刻等离子工艺或离子注入时，> 140°C的高温步骤时），我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。
EM胶
电子束光刻胶 | |||||
型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
SU-8 GM1010 | 电子束 | 负性 | 100nm | 0.1-0.2 | 可用于做高宽比较大的纳米结构。 |
HSQ | 电子束 | 负性 | 6nm | 30nm~180nm | 分辨率光刻胶，抗刻蚀。 |
HSQ Fox-15/16 | 电子束 | 负性 | 100nm | 350nm~810nm | 分辨率光刻胶，抗刻蚀。 |
PMMA(国产) | 电子束 | 正性 | // | // | 高分辨率，适用于各种电子束光刻工艺，的电子束光刻正胶。 |
PMMA（进口） | 电子束 | 正性 | // | // | MicroChem，各种分子量，适用于各种电子束光刻工艺，的电子束光刻正胶。 |
PMGI&LOR Lift-off光刻胶
PMGI&LOR光刻胶可在数据存储、无线IC和MEMS等各种应用中实现高产量，金属剥离工艺。 在双层光刻胶层使用时，PMGI和LOR将工艺范围扩展到单层光刻胶层所能达到的范围之外，包括高分辨率金属化(< 0.25µm),以及很厚(> 4µm)金属化。这些的性能适用于多种材料，可满足客户的各种需要。
材料用途：金属电梯加工，桥制造，释放层
PMGI&LOR Lift-off光刻胶材料属性：
覆盖在成像抗蚀剂不会混杂
在TMAH双叠层一步发展，或KOH开发
高热稳定性：Tg ~190 C
快速清除和常规抗剥离干净
0.25µm微米双层抗蚀成像
产量高，可用于很厚（＞3µm）金属剥离处理
安智AZ 1500系列正性光刻胶（湿法刻蚀正性薄胶）
AZ ® 1500系列光刻胶在所有常见的湿法蚀刻工艺中均可改善附着力，其横向分辨率取决于光刻胶的厚度，可达到亚微米级。
光刻胶性能：
>改善所有常见基材附着力
>宽广的工艺参数窗口，可实现稳定、可重复的光刻工艺
>显影速度快
>与所有常见的显影剂兼容（基于NaOH，KOH或TMAH）
>与所有常见的剥离剂兼容（例如与AZ 100去除剂，有机溶剂或碱性溶液）
>对g，h和i线敏感（约320-440 nm）
>抗蚀膜厚度范围约 0.5-3微米
AZ®1500系列的胶在溶剂浓度，光活性化合物含量以及湿法蚀刻领域的应用方面各有所不同：
光刻胶型号 | 特点 | 包装规格 |
AZ ® 1505 | AZ®1505的高分辨率和附着力使这种光刻胶成为光掩模生产中蚀刻Cr的常用光刻胶。4000 U / min的转速时，光刻胶膜厚度约为500 nm；通过转速的变化，膜厚可达400-800 nm。 | 500ml、1L、5L等多规格包装 |
AZ ® 1512 HS | 分辨率。AZ®1512 HS的光敏化合物浓度非常高，可以地提高光刻胶的分辨率（显影速度快，减少了暗蚀）。 4000 U / min的转速时，光刻胶膜厚度约为1.2 µm；通过控制旋转速度的变化，膜厚可以达1.0-1.8 µm。 | 500ml、1L、5L等多规格包装 |
AZ ® 1514H | 优良的附着性能。特殊的树脂可以进一步提高光刻胶在大多数基板上的附着力。 转速4000 U / min时，光刻胶膜厚度约1.4 µm；通过旋转速度的变化，膜厚可达1.1-2 µm。 | 500ml、1L、5L等多规格包装 |
AZ ® 1518
| 稳定的湿法蚀刻工艺。AZ®1518的光刻胶膜厚度增加，可提高湿法蚀刻工艺中的光刻胶掩模结构的稳定性。 转速4000 U / min时，光刻胶膜厚约1.8 µm，通过改变旋转速度，厚度可达1.5-3 µm。 | 500ml、1L、5L等多规格包装 |
AZ ® 1518 HS | AZ®1518 HS的特点是附着力大大提高，显影速度非常快。 转速4000 U / min，光刻胶膜厚约为1.8 µm，通过改变旋转速度，膜厚可达1.45-2.5 µm。
| 5L |
AZ ® 1529
| AZ®1500抗蚀剂的高光敏化合物浓度使其难以曝光厚度超过3 µm的光刻胶膜，否则可能会形成N2气泡。 对于厚度超过3 µm的光刻胶膜厚度范围，我们建议使用AZ®4533或AZ®ECI 3027。
| —— |
AZ1500系列光刻胶显影液：
如果可以使用含金属离子的显影液，推荐使用1：4稀释的NaOH基AZ®351B（分辨率要求<1 µm时，推荐使用 1：5 1：6稀释浓度）。
可以使用基于KOH的AZ®400K（也可以用1：4 — 1：6的比例稀释），但是，其选择性能较低，如果需要高分辨率或陡峭的光刻胶侧壁图案，则不建议使用。
如果必须使用不含金属离子的显影液，建议使用未稀释的基于TMAH的AZ®326 MIF或AZ®726 MIF显影液。
去胶剂：
对于非交联的光刻胶薄膜，可以使用AZ®100去胶剂，DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果抗蚀剂膜已交联（例如，干法蚀刻等离子工艺或离子注入工艺中 >140°C的高温步骤），我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。
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