AZ ® 300MIF 为2.38％TMAH（四甲基氢氧化铵）

AZ 400K MIC基于缓冲的KOH，通常以1：4稀释度使用

AZ ® EBR溶剂

PGMEA = EBR溶剂（乙酸1-甲氧基-2-丙酯）
PGMEA为溶剂/稀释剂几乎所有AZ的® 和TI光致抗蚀剂，由于其低蒸汽压力和它在颗粒形成抑制（进一步稀释）抗蚀剂。另外，由于PGMEA的低蒸气压阻止了涂覆的抗蚀剂膜的进一步变薄，因此它通常用于去除边缘的珠粒。

AZ ® 100去胶液
是基于溶剂和胺。用于光致抗蚀剂具有低位进攻铝剥离。使用乙醇胺可降低危害。
低蒸发速率允许在高温（80°C）下使用，高效率（每升> 3000个晶片）有助于节省成本。不用担心铝的侵蚀，甚至可以用水稀释。

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