产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:HGTG30N60A4D批号:20+封装:TO-247数量:50000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:IGBT晶体管RoHS:是技术:Si封装/箱体:TO-247-3安装风格:ThroughHole配置:Single集电极—发射极电压VCEO:600V集电极—射极饱和电压:1
详情介绍
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技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | HGTG30N60A4D |
批号: | 20+ |
封装: | TO-247 |
数量: | 50000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | IGBT 晶体管 |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
安装风格: | Through Hole |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | 600 V |
集电极—射极饱和电压: | 1.8 V |
栅极/发射极电压: | 20 V |
在25 C的连续集电极电流: | 75 A |
Pd-功率耗散: | 463 W |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | HGTG30N60A4D |
封装: | Tube |
集电极连续电流 Ic: | 75 A |
高度: | 20.82 mm |
长度: | 15.87 mm |
宽度: | 4.82 mm |
商标: | ON Semiconductor / Fairchild |
集电极连续电流: | 75 A |
栅极—射极漏泄电流: | +/- 250 nA |
产品类型: | IGBT Transistors |
工厂包装数量: | 450 |
子类别: | IGBTs |
零件号别名: | HGTG30N60A4D_NL |
单位重量: | 6.390 g |
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