AEC-Q200实验条件说明

AEC-Q200的环境试验条件，主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但是在高温工作寿命就需要，温度循环与温度冲击，其试验目的与手法不一样，在温度循环中高低温变化需控制温变率，温冲击则不用，偏高湿度就是俗称的高温高湿试验，而湿度抵抗就是湿冷冻试验。

试验条件注意事项：1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测

1、高温储存(MIL-STD-202-108)：【适用设备：THS】

薄膜电容、网路低通滤波器、网路电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h

电感、变压器、电阻：125℃/1000h

变阻器：150℃/1000h

钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：zui大额定温度/1000h

2、高温工作寿命(MIL-STD-202-108)：【适用设备：THS】

网路低通滤波器、网路电阻：85℃/1000h

EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h/施加额定IL

钽电容、陶瓷电容：zui大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压

铝电解电容、电感、变压器：105℃/1000h

薄膜电容：1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/99%额定电压)

自恢复保险丝：125℃/1000h

电阻、热敏电阻、可变电容：125℃/1000h/额定电压

可变电阻：125℃/1000h/额定功率

变阻器：125℃/1000h/额定电压85％+ma电流

陶瓷共鸣器：85℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容

石英震荡器：125℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容

3、温度循环(JEDEC22A-104)：【适用设备：TSC、ESS】

薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles

钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻： -55℃(30min)← →125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

铝电解电容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

电感、变压器、变阻器、石英震盪器、自恢复保险丝：-40℃(30min)← →125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles

网路低通滤波器、网路电阻：-55℃(30min)← →125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

4、温度冲击(MIL-STD-202-107)：【适用设备：TC、ATSK】

自恢复保险丝：-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles

偏高湿度(MIL-STD-202-103)：[适用设备：THS]

钽电容、陶瓷电容：85℃/85%R.H./1000h/电压1.3～1.5V

电感&变压器：85℃/85%R.H./1000h/不通电

铝电解电容：85℃/85%R.H./1000h/额定电压 E

MI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压＆电流

电阻、热敏电阻：85℃/85%R.H./1000h/工作电源10%

自恢复保险丝：85℃/85%R.H./1000h/额定电流10%

可变电容、可变电阻：85℃/85%R.H./1000h/额定功率10%

网路低通滤波器&网路电阻：85℃/85%R.H./1000h/电压【网路电容(额定电压)、网路电阻(10%额定功率)】

变阻器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压85％+ma电流

石英震荡器、陶瓷共鸣器：85℃/85%R.H./1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容

薄膜电容：40℃/93%R.H./1000h/额定电压

5、湿度抵抗(MIL-STD-202-106)：【适用设备：THS】

薄膜电容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电

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