DWL 66+
激光直写光刻系统是高性价比、高分辨率的图形发生器，适用于小批量掩膜版制作和直写需求。DWL 66+激光直写光刻系统具有多种选配模块，如对准系统、不同波长的激光发生器以及自动上下板加载系统等，能够满足各种精度要求。它是生命科学、先进封装、MEMS、微光学、半导体等领域重要的光刻研究工具。
核心技术规格
核心技术规格涵盖光源、分辨率、基板适配等多个关键维度，具体参数如下：
光源配置：提供两种可选方案，405nm二极管激光器、375nm紫外二极管激光器。
分辨率表现：XR高分辨率模式可实现200nm最小特征尺寸，处于市场同类激光直写系统先进水平，满足高精度微纳结构制造需求。
写模式与灰度等级：配备6种写模式，最小特征尺寸覆盖200nm-4μm；支持65536级专业灰度模式，标准模式提供128级或32768级选择，可精准制造复杂2.5D微结构。
基板兼容性：尺寸适配3×3mm至9"×9"（支持定制更大尺寸），厚度0-12mm，无材质限制，可稳定处理平面及曲面基板；曝光面积达200×200mm，满足中大型样品加工。
定位与对焦精度：采用干涉仪位置控制与实时光束位置校正相结合，高精度配置下第二层对准精度达350nm；自动对焦系统（光学或气压计），补偿范围80μm，适配透明或低反射率基板。
环境控制与运行效率：集成层流箱，温度稳定性±0.1°C，营造ISO 4级洁净环境；6英寸晶圆10分钟曝光，4μm模式+405nm激光下写入速度2000mm/min。
系统物理参数：光刻单元尺寸1300mm×1100mm×1950mm，重量1000kg，需配备专用安装空间。
