MOS晶体管模块是以金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）为核心元件构建的电路单元，广泛应用于数字集成电路、电源管理及信号处理等领域。
核心元件构成
MOSFET由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体层组成，通过调节栅极电压控制电流通断。其核心作用是将电信号转换为电流信号，实现电路的开关、放大等功能。
类型与应用
互补金属氧化物半导体（CMOS）：由P沟道和N沟道晶体管组合而成，具有低功耗、高集成度特性，广泛应用于微控制器、数字逻辑电路等场景。
功率MOS管：用于电源管理，通过高电流处理能力实现电路的稳定供电。
基本逻辑门电路：如与门、或门等，通过MOS管组合实现数字信号处理。
关键技术指标
包括阈值电压（Vth）、最大漏源电压（VDSmax）、漏源电流（ID）等参数，直接影响电路的开关速度、功耗及稳定性。
