FIB与
探针是半导体失效分析中两种不同的关键技术,常协同使用:
FIB(聚焦离子束)
用于芯片的纳米级修复和信号提取,通过高能离子束精准切割、沉积或修改电路。例如,在3nm先进制程芯片中,可从晶圆背面穿透硅基材进行修改,无需重新流片即可修复设计缺陷。
探针(Probe)
用于直接接触芯片焊盘(Pad)采集电信号,分为晶圆探针测试(CP测试)和失效分析中的定点信号抓取。前者用于封装前筛选不良芯片,后者则配合FIB修改后验证修复效果。
两者在芯片失效分析中常联动:FIB进行现场修改(如切除错误电路并沉积新金属),随后通过探针台抓取修改后的电信号波形进行验证。