广告招募

当前位置:全球制造网 > 技术中心 > 产品文库

FIB探针技术

2025年07月09日 17:12:15      来源:创新制造 >> 进入该公司展台      阅读量:24

分享:

FIB与探针是半导体失效分析中两种不同的关键技术,常协同使用:
FIB(聚焦离子束)
用于芯片的纳米级修复和信号提取,通过高能离子束精准切割、沉积或修改电路。例如,在3nm先进制程芯片中,可从晶圆背面穿透硅基材进行修改,无需重新流片即可修复设计缺陷。‌
探针(Probe)
用于直接接触芯片焊盘(Pad)采集电信号,分为晶圆探针测试(CP测试)和失效分析中的定点信号抓取。前者用于封装前筛选不良芯片,后者则配合FIB修改后验证修复效果。‌
两者在芯片失效分析中常联动:FIB进行现场修改(如切除错误电路并沉积新金属),随后通过探针台抓取修改后的电信号波形进行验证。‌
版权与免责声明:
1.凡本网注明"来源:全球制造网"的所有作品,版权均属于全球制造网,转载请必须注明全球制造网。违反者本网将追究相关法律责任。
2.企业发布的公司新闻、技术文章、资料下载等内容,如涉及侵权、违规遭投诉的,一律由发布企业自行承担责任,本网有权删除内容并追溯责任。
3.本网转载并注明自其它来源的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品来源,并自负版权等法律责任。 4.如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系。