在陶瓷抛光机抛光硅片后，硅片表面会产生一些污染主要以：微粗糙度，金属污染和表面颗粒度以及有机沾污这些对器件性能有重大影响。以下简单介绍一些清洗方法：

1.微粗糙度.以前一般常用RCV清洗技术清洗硅片，而在清洗过后硅片表面则会有较为严重的粗糙化作用。对于硅片表面的微粗糙度主要是受到RCA清洗工艺和HF清洗的影响，我们可以采用降低氨水含量和极度稀释HF清洗技术，这样可以保证硅片表面微粗糙度。

2.金属污染.它会破坏薄氧化层的完整性，增加漏电流密度、减少其寿命；活动离子如钠会在氧化层中引起移动电荷，影响器件的稳定性；重金属离子会增加暗电流；快扩散离子。如：铜、镍，易沉积于硅片表面，形成微结构缺陷。当其污染严重时，不会形成雾状缺陷，这缺陷会与氧化诱生成层错和外延层错相关。这个适合采用添加了表面活性剂的极度希释RCA来进行清洗，这样能有效去除表面颗粒，减少颗粒沉淀，来达到极少表面颗粒目的。

运用表面活性剂和HF的RCA改进工艺，能够很好地控制抛光片表面的颗粒度和金属污染，相对而言。