IGBT在关断过程中,漏电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏电流的关断时间。
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