产品简介
技术参数品牌:ON型号:MMBTA55LT1G封装:N/A批次:21+数量:15000类别:分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个制造商:onsemi晶体管类型:PNP电流-集电极(Ic)(值):500mA电压-集射极击穿(值):60V不同 Ib、Ic时 Vce饱和压降(值):250mV@10mA
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | MMBTA55LT1G |
封装: | N/A |
批次: | 21+ |
数量: | 15000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 |
制造商: | onsemi |
晶体管类型: | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(值): | 500 mA |
电压 - 集射极击穿(值): | 60 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(值): | 250mV @ 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(值): | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 100 @ 100mA,1V |
功率 - 值: | 225 mW |
频率 - 跃迁: | 50MHz |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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