型号:FQA11N90C
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-3PN-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:900 V
Id-连续漏极电流:11 A
Rds On-漏源导通电阻:1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
最小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:300 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:20.1 mm
长度:16.2 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:5 mm
正向跨导 - 最小值:9 S
下降时间:85 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:130 ns
工厂包装数量:30
典型关闭延迟时间:130 ns
典型接通延迟时间:60 ns
单位重量:5.600 mg
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