技术参数
| 品牌： | VBsemi中国台湾微碧 |
| 型号： | FDC6310P |
| 批号： | 20+ |
| 封装： | SOT26 |
| 沟道类型： | N+N沟道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 20V |
| 漏极电流（Id）： | 6A |
| 漏源导通电阻（RDS On）： | 24mΩ@4.5V |
| 栅源电压（Vgs）： | ±12 |
| 耗散功率（W）： | 1 |
品牌介绍
规格书
用途/应用领域
3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居
深圳市微碧半导体有限公司
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技术参数品牌：VBsemi中国台湾微碧型号：FDC6310P批号：20+封装：SOT26沟道类型：N+N沟道漏源电压（Vdss）：20V漏极电流（Id）：6A漏源导通电阻（RDSOn）：24mΩ@4
技术参数
| 品牌： | VBsemi中国台湾微碧 |
| 型号： | FDC6310P |
| 批号： | 20+ |
| 封装： | SOT26 |
| 沟道类型： | N+N沟道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 20V |
| 漏极电流（Id）： | 6A |
| 漏源导通电阻（RDS On）： | 24mΩ@4.5V |
| 栅源电压（Vgs）： | ±12 |
| 耗散功率（W）： | 1 |
品牌介绍
规格书
用途/应用领域
3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居
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