技术参数
品牌: | VBsemi中国台湾微碧 |
型号: | IRF7311TR |
批号: | 20+ |
封装: | SOP8 |
沟道类型: | N+N沟道 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
漏极电流(Id): | 7.1A |
漏源导通电阻(RDS On): | 25mΩ@4.5V |
栅源电压(Vgs): | ±12V |
耗散功率(W): | 2 |
品牌介绍
规格书
用途/应用领域
3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居
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技术参数品牌:VBsemi中国台湾微碧型号:IRF7311TR批号:20+封装:SOP8沟道类型:N+N沟道漏源电压(Vdss):20V漏极电流(Id):7
技术参数
品牌: | VBsemi中国台湾微碧 |
型号: | IRF7311TR |
批号: | 20+ |
封装: | SOP8 |
沟道类型: | N+N沟道 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
漏极电流(Id): | 7.1A |
漏源导通电阻(RDS On): | 25mΩ@4.5V |
栅源电压(Vgs): | ±12V |
耗散功率(W): | 2 |
品牌介绍
规格书
用途/应用领域
3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居
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