产品简介
技术参数品牌:ON型号:NTS2101PT1G批号:19+封装:数量:12000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-323-3通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:8VId-连续漏极电流:1
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTS2101PT1G |
批号: | 19+ |
封装: |
数量: | 12000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-323-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 8 V |
Id-连续漏极电流: | 1.4 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 100 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4.5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 450 mV |
Qg-栅极电荷: | 6.4 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 290 mW |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
高度: | 0.85 mm |
长度: | 2.1 mm |
产品: | MOSFET Small Signal |
系列: | NTS2101P |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
类型: | MOSFET |
宽度: | 1.24 mm |
商标: | ON Semiconductor |
下降时间: | 18 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 15 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 26 ns |
典型接通延迟时间: | 6.2 ns |
单位重量: | 5 mg |
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