产品概述
FD V301N 系列 N沟道 25 V 4 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。