技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTR5105PT1G |
封装: | SOT-23-3 |
批次: | 2021 |
数量: | 20000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 196 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 6 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4.5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 1 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 403 mW |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 227 mS |
下降时间: | 12.8 ns |
上升时间: | 4 ns |
典型关闭延迟时间: | 8.8 ns |
典型接通延迟时间: | 5.8 ns |
单位重量: | 8 mg |
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