产品简介
技术参数品牌:ON型号:NVR4501NT1G封装:SOT-23-3批次:2021数量:20000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:3
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NVR4501NT1G |
封装: | SOT-23-3 |
批次: | 2021 |
数量: | 20000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 3.2 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 80 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4.5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 650 mV |
Qg-栅极电荷: | 2.4 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.25 W |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
配置: | Single |
系列: | NTR4501 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 9 S |
下降时间: | 3 ns |
上升时间: | 12 ns |
典型关闭延迟时间: | 12 ns |
典型接通延迟时间: | 6.5 ns |
单位重量: | 8 mg |
- 上一篇: SZESD8351HT1G TVS二极管 ON 封装SOD-3
- 下一篇: SBR660CTLQ-13 整流二极管 DIODES 封装
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。