产品简介
技术参数品牌:INFINEON型号:BSC080N03LSG封装:QFN-8批次:21+数量:18890制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TDSON-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:53ARdsOn-漏源导通电阻:6
详情介绍
技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | BSC080N03LS G |
封装: | QFN-8 |
批次: | 21+ |
数量: | 18890 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TDSON-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 53 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 6.7 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 21 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 35 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1.27 mm |
长度: | 5.9 mm |
系列: | OptiMOS 3 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5.15 mm |
正向跨导 - 最小值: | 30 S |
下降时间: | 2.6 ns |
上升时间: | 2.8 ns |
典型关闭延迟时间: | 15 ns |
典型接通延迟时间: | 3.3 ns |
零件号别名: | BSC080N03LSGATMA1 SP000275114 BSC8N3LSGXT BSC080N03LSGATMA1 |
单位重量: | 363 mg |
- 上一篇: XCKU115-2FLVA1517C 电子元器件 XILINX
- 下一篇: LNK403EG LED驱动器(照明及背光) POW
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。