产品简介
技术参数品牌：IR型号：IRF8707TRPBF封装：SOP8批次：12+数量：4000类别：分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
技术参数
| 品牌： | IR |
| 型号： | IRF8707TRPBF |
| 封装： | SOP8 |
| 批次： | 12+ |
| 数量： | 4000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 11A（Ta） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 11.9 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 9.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 760 pF @ 15 V |
| 功率耗散（值）： | 2.5W（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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