产品简介
技术参数品牌:Vishay型号:SI2308BDS-T1-BE3封装:*批次:21+数量:36000制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:2
详情介绍
技术参数
品牌: | Vishay |
型号: | SI2308BDS-T1-BE3 |
封装: | * |
批次: | 21+ |
数量: | 36000 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 2.3 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 156 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
Qg-栅极电荷: | 2.3 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.66 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 7 ns |
上升时间: | 10 ns |
晶体管类型: | 10 ns |
典型关闭延迟时间: | 4 ns |
典型接通延迟时间: | SI2308BDS-T1-GE3 |
零件号别名: | 8 mg |
- 上一篇: POWLICON/宝砾微 PL8310 ESOP8/SOP8 2
- 下一篇: TI 电源管理芯片 TPS562208DDCR Voltag
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。