产品简介
技术参数品牌:INFINEON型号:BSC022N03SG封装:QFN8批次:2021+数量:6515制造商:InfineonTechnologies系列:OptiMOS™FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):28A(Ta)
详情介绍
技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | BSC022N03SG |
封装: | QFN8 |
批次: | 2021+ |
数量: | 6515 |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | OptiMOS™ |
FET 类型: | N 通道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 28A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 2.2 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 2V @ 110µA |
Vgs(值): | ±20V |
功率耗散(值): | 2.8W(Ta),104W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
漏源电压(Vdss): | 30V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 64nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 8290pF @ 15V |
- 上一篇: U4311B 电子元器件 TFK 封装SOP16 批次
- 下一篇: RT8813AGQW 电子元器件 RICHTEK 封装QF
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。