产品简介
技术参数品牌:IR型号:IRFH5006TRPBF批号:19+封装:QFN数量:5000QQ:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PQFN-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:100ARdsOn-漏源导通电阻:4
详情介绍
技术参数
品牌: | IR |
型号: | IRFH5006TRPBF |
批号: | 19+ |
封装: | QFN |
数量: | 5000 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PQFN-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 4.1 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 69 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 156 W |
配置: | Single |
高度: | 0.83 mm |
长度: | 6 mm |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5 mm |
正向跨导 - 最小值: | 92 S |
下降时间: | 12 ns |
上升时间: | 13 ns |
典型关闭延迟时间: | 30 ns |
典型接通延迟时间: | 9.6 ns |
零件号别名: | SP001560332 |
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