产品简介
技术参数品牌：ST型号：STP110N8F6封装：TO-220批号：2109+数量：75制造商：STMicroelectronics产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：80VId-连续漏极电流：110ARdsOn-漏源导通电阻：6
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STP110N8F6 |
| 封装： | TO-220 |
| 批号： | 2109+ |
| 数量： | 75 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 80 V |
| Id-连续漏极电流： | 110 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 150 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 200 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | STP110N8F6 |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 48 ns |
| 高度： | 15.75 mm |
| 长度： | 10.4 mm |
| 上升时间： | 61 ns |
| 晶体管类型： | 162 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 24 ns |
| 典型接通延迟时间： | 4.6 mm |
| 宽度： | 2 g |
- 上一篇： EL2501S(K)(TU)-G 光电耦合器 亿光 封
- 下一篇： LM2904DR 通用放大器 TI/德州仪器 封装
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。