产品简介
技术参数品牌:VISHAY/威世型号:SI2369DS-T1-GE3批次:20+数量:2000类别:分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY/威世 |
型号: | SI2369DS-T1-GE3 |
批次: | 20+ |
数量: | 2000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | Vishay Siliconix |
系列: | TrenchFET® |
FET 类型: | P 通道 |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.6A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 29 毫欧 @ 5.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 36 nC @ 10 V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 1295 pF @ 15 V |
功率耗散(值): | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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