产品简介
技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPD65R650CEAUMA1批次:20+数量:2000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PG-TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:650VId-连续漏极电流:10
详情介绍
技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IPD65R650CEAUMA1 |
批次: | 20+ |
数量: | 2000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PG-TO-252-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
Id-连续漏极电流: | 10.1 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 650 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
Qg-栅极电荷: | 23 nC |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 86 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | CoolMOS |
配置: | Single |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
系列: | CoolMOS CE |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
商标: | Infineon Technologies |
下降时间: | 11 ns |
湿度敏感性: | Yes |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 8 ns |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 64 ns |
典型接通延迟时间: | 10 ns |
零件号别名: | IPD65R650CE SP001396908 |
单位重量: | 340 mg |
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