技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | MMUN2113LT1G |
批次: | 20+ |
数量: | 2000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 |
制造商: | onsemi |
产品状态: | 在售 |
晶体管类型: | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(值): | 100 mA |
电压 - 集射极击穿(值): | 50 V |
电阻器 - 基极 (R1): | 47 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2): | 47 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 80 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(值): | 250mV @ 300µA,10mA |
电流 - 集电极截止(值): | 500nA |
功率 - 值: | 246 mW |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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