技术参数
品牌: | IXYS/艾赛斯 |
型号: | IXTK82N25P |
批号: | 20/21+ |
封装: | |
数量: | 11078 |
QQ: | |
制造商: | IXYS |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-264-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 250 V |
Id-连续漏极电流: | 82 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 35 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 5 V |
Qg-栅极电荷: | 142 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 500 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | PolarHT |
封装: | Tube |
高度: | 26.59 mm |
长度: | 20.29 mm |
系列: | IXTK82N25 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
类型: | PolarHT Power MOSFET |
宽度: | 5.31 mm |
商标: | IXYS |
正向跨导 - 最小值: | 30 S |
下降时间: | 22 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 20 ns |
工厂包装数量: | 25 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 78 ns |
典型接通延迟时间: | 29 ns |
单位重量: | 10 g |
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