技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SIHG16N50C-E3 |
批号: | 19+ |
封装: | TO-247AC |
数量: | 42350 |
QQ: | |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247AC-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 500 V |
Id-连续漏极电流: | 16 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 380 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 5 V |
Qg-栅极电荷: | 45 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 250 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Tube |
商标: | Vishay / Siliconix |
下降时间: | 31 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 156 ns |
工厂包装数量: | 500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 29 ns |
典型接通延迟时间: | 27 ns |
单位重量: | 38 g |
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