设备用途：

用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。配有阳极层离子源进行清洗和辅助沉积，同时设备具有反溅射清洗功能，以提高膜的质量和牢固度。

　　设备组成

　　系统主要由溅射真空室、永磁磁控溅射靶、单基片加热台、直流电源、射频电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。

　　采用单室立式上开盖结构，换样进样操作方便，不锈钢材料和真空材料。

　　技术指标：

　　1、0-1000摄氏度（根据要求选配）

　　2、极限真空度：溅射室极限真空度≤5×10-5Pa；

　　抽速：40min工作真空度可达到：5×10-4Pa

　　压升率：停泵关机12小时后真空度≤10Pa；

　　系统漏率：5×10-10PaL/S；