技术参数
品牌: | DIODES/美台 |
型号: | DMG1013T-7 |
封装: | SOT-523 |
批次: | 21+ |
数量: | 100000 |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-523-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 460 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 1 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 6 V |
Qg-栅极电荷: | pC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 270 mW |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
系列: | DMG1013 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
正向跨导 - 最小值: | S |
下降时间: | ns |
上升时间: | ns |
典型关闭延迟时间: | ns |
典型接通延迟时间: | ns |
单位重量: | 2 mg |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。