技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | TP0610K-T1-GE3 |
批号: | 18+ |
封装: | SOT-23-3 |
数量: | 39374 |
QQ: | |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 185 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 6 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 350 mW |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
系列: | TP0 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 80 mS |
典型关闭延迟时间: | 35 ns |
典型接通延迟时间: | 20 ns |
零件号别名: | TP0610K-GE3 |
单位重量: | 8 mg |
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