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当前位置:深圳市华富利通科技有限公司>>集成电路>>其他集成电路>> EPC2016CEPC 场效应管 EPC2016C GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

EPC 场效应管 EPC2016C GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

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参   考   价: 23.2
订  货  量: ≥1台
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:EPC2016C
  • 品牌:
  • 产品类别:其他集成电路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2022-05-12 11:45:14
  • 浏览次数:2
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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:992条
  • 所在地区:
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  • 最近登录:2022-05-11
  • 联系人:叶先生
产品简介

技术参数品牌:EPC型号:EPC2016C批号:19+封装:原厂封装数量:8000QQ:1169024632对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET

详情介绍


技术参数

品牌:EPC
型号:EPC2016C
批号:19+
封装:原厂封装
数量:8000
QQ:1169024632
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列:eGaN®
FET 类型:N 通道
漏源电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On):5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值):16 毫欧 @ 11A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值):2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值):4.5nC @ 5V
Vgs(值):+6V,-4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值):420pF @ 50V
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:模具
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