技术参数
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型号： | SIS443DN-T1-GE3 |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | DFN |
| 数量： | 12000 |
| QQ： | 1946597075 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PowerPAK-1212-8 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 35 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 11.7 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 10 V, + 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 90 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 52 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | SIS |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 50 S |
| 下降时间： | 10 ns, 12 ns |
| 上升时间： | 10 ns, 40 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 48 ns,50 NS |
| 典型接通延迟时间： | 12 ns, 45 NS |
| 单位重量： | 339.505 mg |
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。