技术参数
品牌: | ST |
型号: | STS6NF20V |
数量: | 9000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOIC-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 6 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 30 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 12 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2.5 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 1.65 mm |
长度: | 5 mm |
系列: | STS6NF20V |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 4 mm |
下降时间: | 10 ns |
上升时间: | 33 ns |
典型关闭延迟时间: | 27 ns |
典型接通延迟时间: | 7 ns |
单位重量: | 85 mg |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。