技术参数
品牌: | ST |
型号: | STW43NM60ND |
数量: | 30000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 35 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 88 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 25 V, + 25 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 255 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 20.15 mm |
长度: | 15.75 mm |
系列: | STW43NM60ND |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5.15 mm |
下降时间: | 50 ns |
上升时间: | 40 ns |
典型关闭延迟时间: | 120 ns |
典型接通延迟时间: | 30 ns |
单位重量: | 38 g |
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