产品简介
技术参数品牌：VISHAY/威世型号：SI4472DY-T1-E3批号：2105+封装：SOP8数量：21600QQ：制造商：VishaySiliconixFET类型：N通道技术：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：7.7A（Tc）驱动电压（RdsOn
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型号： | SI4472DY-T1-E3 |
| 批号： | 2105+ |
| 封装： | SOP8 |
| 数量： | 21600 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | （Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 45 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 功率耗散（值）： | （Ta），（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | 8-SO |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（"， 宽） |
| 漏源电压（Vdss）： | 150 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 43 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 1735 pF @ 50 V |
| 基本产品编号： | SI4472 |
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