技术参数
品牌: | TI |
型号: | TPD2EUSB30DRTR |
封装: | N/A |
批次: | 22+/22+/21+ |
数量: | 1408 |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | TVS 二极管/ESD 抑制器 |
RoHS: | 是 |
极性: | Unidirectional |
工作电压: | V |
通道数量: | 2 Channel |
端接类型: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-3 |
击穿电压: | 9 V |
钳位电压: | 8 V |
峰值脉冲功耗 (Pppm): | 45 W |
Vesd - 静电放电电压触点: | 8 kV |
Vesd - 静电放电电压气隙: | 9 kV |
Cd - 二极管电容 : | pF |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 85 C |
系列: | TPD2EUSB30 |
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