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品牌英飞凌封装TO-252批号22+数量15000制造商InfineonTechnologies系列HEXFET®FET类型P通道漏源电压（Vdss）100VVgs（值）±20V功率耗散（值）66W（Tc）工作温度-55°C~150°C（TJ）安装类型表面贴装型封装/外壳TO-252-3
品牌
英飞凌
封装
TO-252
批号
22+
数量
15000
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
FET 类型
P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V
Vgs（值）
±20V
功率耗散（值）
66W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
可售卖地
全国
类型
分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
型号
IRFR5410TRPBF
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